Компьютерный форум WiseComp.ru

Зарегистрируйтесь чтобы свободно общаться (занимает менее 2-ух минут)


Новый полевой транзистор с плавающим затвором

Новый полевой транзистор с плавающим затвором

Сейчас этот топик просматривают: зарегистрированных: 0, скрытых: 0 и гостей: 0
Зарегистрированные пользователи: Нет
   Компьютерный форум ›› Новости компьютерного мира ›› Новый полевой транзистор с плавающим затвором
 
Автор Сообщение
UrryMan

цитировать         <<<

Администратор
С нами с 08.06.2010
Сообщения: 4295
Благодарности: 1065
Из: С-Петербург

Добавлено: 05:23 2 Февраль, 2011    Заголовок сообщения: Новый полевой транзистор с плавающим затвором

www.dailytechinfo.org писал(а):

Новый полевой транзистор с плавающим затвором -
..... революция в области компьютерной памяти.




Группа исследователей Университета штата Северная Каролина разработала новое устройство хранения информации, компьютерной памяти, которая сочетает в себе преимущества большой скорости доступа динамической памяти DRAM и энергонезависимость хранения данных, подобно Flash-памяти. Разработка новой памяти позволит во существенно снизить потребление электроэнергии , что особенно важно в случае малогабаритных мобильных устройств и крупных дата-центров, позволяя отключать части системы во время периодов их бездеятельности без страха потери данных.

Новое электронное устройство называют полевым транзистором (field effect transistor, FET) с двойным плавающим затвором. В единственном лице ячейки памяти на основе таких транзисторов комбинируют наилучшие свойства двух совершенно различных типов компьютерной памяти. Энергонезависимая память, широко используемая сейчас в картах памяти и Flash-накопителях, позволяет сохранять данные после того, как прекращена подача электроэнергии к устройству. А динамическая память DRAM, устанавливаемая на разъемы материнских плат, обладает очень высокой скоростью записи и чтения данных, но требует постоянного "вливания" энергии для обеспечения сохранности данных в течение длительного времени.

Новый FET-транзистор хранит данные в виде электрического заряда и использует специальный управляющий затвор для обеспечения скорости доступа к хранимым данным. Принимая во внимание то, что современная Flash-память построена ба базе транзисторов с единственным плавающим затвором, позволяющим долгосрочное сохранение заряда, новый транзистор так же оборудован подобным плавающим затвором, придающим новой памяти способность долгосрочного и энергонезависимого хранения данных.

Состояние транзистора определяется пороговым значением напряжения на этом транзисторе, изменяя его можно перевести память в режим быстрого доступа или в режим энергонезависимого хранения данных. Структура нового транзистора позволит создавать на его базе ячейки памяти, размером в 16 нм. Но, помимо этого, расположение этих ячеек может быть трехмерным, в отличие от современной памяти, где ячейки располагаются в виде двухмерного массива, находящегося на поверхности полупроводникового кристалла. Трехмерное расположение ячеек памяти становится возможным благодаря использованию изолирующих и соединительных слоев, состоящих из аморфного полупроводника индий- галлий- цинк-оксид, который в ряде применений показывает лучшие результаты, чем аморфный кремниевый полупроводниковый материал.

Двойственная природа новой памяти, по мнению разработчиков, позволит появиться компьютерам, которые будут загружаться только один раз, при первоначальном включении, при смене или обновлении операционной системы. Все последующие включения будут происходить моментально, ведь не будет требоваться длительного процесса считывания данных с жесткого диска и развертывания операционной системы в памяти. Сервера, выполняющие множество фоновых задач, смогут активировать или деактивировать необходимые участки памяти по мере необходимости, что приведет к существенной экономии энергии в дата-центрах, ведь существующие компьютеры должны для сохранности данных в оперативной памяти держать ее постоянно включенной попусту нагревая воздух.




Это сообщение посчитали полезным(1): Salavat90
Вверх
 
   
Имя
Быстрый ответ

Доп. смайлики
Важно: Все буквы ЗАГЛАВНЫЕ И LATINSKIE, такими их вводить и нужно
Если у вас проблемы с отображением кода - используйте браузер Opera или Google Chrome

Через цифру 0 проведена черта по диагонали.
Ниже этого текста расположен код, если вы его плохо видите - обновите страницу.

Здесь проверочный код, в браузере Mozilla Firefox его не видно. Пожалуйста, используйте Chrome или Opera
Чтобы не вводить код каждый раз, и пользоваться множеством полезных функций, нужно зарегистрироваться.
Код подтверждения: *
 
Показать сообщения:   
   Компьютерный форум ›› Новости компьютерного мира ›› Новый полевой транзистор с плавающим затвором Часовой пояс: GMT + 4
Страница 1 из 1

Похожие темы
Тема Автор Форум Ответов Последнее сообщение
Транзистор в 2nm! Сангвин Новости компьютерного мира 1 16:00 29 Июль, 2011 К последнему ››
sailmaker
Новый ПК kinens Выбор конфигурации компьютера 17 20:51 15 Май, 2012 К последнему ››
Fox
новый комп DJ-Dance Выбор конфигурации компьютера 2 15:32 2 Июль, 2011 К последнему ››
No Pasaran!
Не ставится ОС на новый HDD iPoltergeist Жесткие диски 3 00:31 15 Октябрь, 2015 К последнему ››
borkx
Новый БП на старый ATX Игорь_Ш Блоки питания и ИБП 2 10:48 4 Апрель, 2012 К последнему ››
Игорь_Ш
USB 3.0 Новый интерфейс. Geocint Новости компьютерного мира 0 12:01 29 Июль, 2009 К последнему ››
Geocint
Мой новый девайс sailmaker Беседка 25 15:40 1 Июнь, 2011 К последнему ››
Fosp


 
Быстрый переход:  
Вы можете начинать темы
Вы можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете голосовать в опросах
Вы не можете прикреплять файлы
Вы не можете скачивать файлы


Яндекс.Метрика

Совершенство достигается не тогда, когда больше нечего добавить, а тогда, когда нечего отнять. © Антуан де Сент-Экзюпери